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IXFA7N80P IXFI7N80P IXFP7N80P
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
Leaded 263 (IXFI) Outline
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
V DS = 20 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 4 A
R G = 10 Ω (External)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
5
9.5
1890
133
13
28
32
55
24
32
12
9
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
R thJC
0.62 ° C/W
R thCS
0.5
° C/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Symbol
Test Conditions
Min. Typ. Max.
I S
V GS = 0 V
7
A
I SM
V SD
t rr
Q RM
I RM
Repetitive
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
I F = 7A,
-di/dt = 100 A/ μ s
V R = 100V
0.3
3
18
1.5
250
A
V
ns
μ C
A
TO-220 (IXFP) Outline
TO-263 (IXFA) Outline
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pins: 1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
4 - Drain
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
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